shallow trench isolation 用途
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法,特別是關於一種Dual-STI(ShallowTrenchIsolation)的半導體...
何謂STI? - WU MIN SHIN
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2014年12月19日—STI=ShallowTrenchIsolation.顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離,那是隔離什麼呢?因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion ...
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